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Onsemi 安森美SG3525电源芯片 UC2844BD1R2G ON代理商

品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:SG3525ANG 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道

BAV70三极管 BAV99 晶体管 BAW56T 功率管 BC807 安森美代理

应用范围:放大 品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:BAV70LT1G 材料:硅(Si) 封装形式:SOT23

安森美UC3843 双脉冲抑制集成电路 ON原装现货

品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:UC3843BNG 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:MES金属半导体 类型:驱动IC 批号:11+ 封装:DIP8

ON安森美集成电路SG3525,ON原装。

品牌/商标:ON/安森美 型号/规格:SG3525ANG 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:增强型 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道

东芝2SK3767场效应管 2SK3067晶体管 东芝代理现货库存。

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:2SK3767 材料:N-FET硅N沟道 用途:MOS-INM/独立组件 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

供应2SK2225(瑞萨RENESAS)，原装现货。

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK2225(瑞萨RENESAS) 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MW/微波 封装外形:SP/特殊外形 材料:GE-N-FET锗N沟道

2SK3767功率管，东芝场效应管替代2SK3067，原装现货。

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:2SK3767 材料:N-FET硅N沟道 用途:MOS-INM/独立组件 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 沟道类型:N沟道 种类:绝缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

ON品牌D44VH10G功率管，D45VH10晶体管，安森美代理

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:D44VH10G 材料:P-FET硅P沟道 用途:MOS-INM/独立组件 品牌/商标:ON/安森美 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 导电方式:耗尽型

D44VH10G 三极管,D45VH10G 功率晶体管 ON场效应管 安森美代理

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:D44VH10G 材料:P-FET硅P沟道 用途:MOS-INM/独立组件 品牌/商标:ON/安森美 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 导电方式:耗尽型

功率管D45VH10G，D44VH10G晶体管 安森美代理 ON代理商原装现货

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:D45VH10G 材料:N-FET硅N沟道 用途:MOS-INM/独立组件 品牌/商标:ON/安森美 沟道类型:N沟道 种类:结型(JFET) 导电方式:耗尽型

2SA1020三极管，东芝晶体管，2SA1015功率管原装现货

封装形式:TO92 型号/规格:2SA1020 材料:硅(Si) 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 应用范围:放大

D44VH10G安森美代理，功率管D45VH10G，晶体管对管

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:D44VH10G 材料:P-FET硅P沟道 用途:MOS-INM/独立组件 品牌/商标:ON/安森美 沟道类型:P沟道 种类:结型(JFET) 导电方式:耗尽型

代理D45VH10G晶体管，D44VH10G功率管，原装现货。

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:D45VH10G 材料:N-FET硅N沟道 用途:MOS-INM/独立组件 品牌/商标:ON/安森美 沟道类型:N沟道 种类:结型(JFET) 导电方式:耗尽型

供应原装东芝2SK2837

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SK2837 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:耗尽型 用途:MOS-INM/独立组件 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道

东芝2SK3767场效应管，东芝代理现货库存。

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:2SK3767 材料:N-FET硅N沟道 用途:MOS-INM/*组件 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 沟道类型:N沟道 种类:*缘栅(MOSFET) 导电方式:增强型

供应2SK2225(瑞萨REN*AS)

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK2225(瑞萨REN*AS) 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MW/微波 封装外形:SP/*外形 材料:GE-N-FET锗N沟道 低频噪声系数:标准 *间电容:60 漏*电流:2-7

代理2SK4107，东芝MOS管，原装现货。

品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SK4107(F,T) 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MOS-TPBM/三相桥 封装外形:SP/*外形 材料:IGBT*缘栅比*

2SK2225(瑞萨REN*AS)场管

品牌/商标:Hitachi/日立 型号/规格:2SK2225(瑞萨REN*AS) 种类:*缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MW/微波 封装外形:SP/*外形 材料:GE-N-FET锗N沟道